集成电路IC研究:创建更小,功能更强大的集成电路IC

如何精密？休斯顿库伦工程学院与大学的研究人员正在开发新的集成电路IC。

化学和生物分子工程教授文斯·唐纳利和Demetre ECONOMOU ，休·罗伊和Lilly Cranz卡伦杰出大学讲座，同一个部门，来自美国国家科学基金会给予这个项目资金的支持，授予18个月150,000美元的研究费用。

他们的努力集中在等离子刻蚀，离子材料被枪杀创建极小的模式和特点。具体来说，他们探索的硅晶片蚀刻以原子的精度。可以使用这样的一个预先创建自由基更小，更强大的集成电路IC，这是在几乎是所有的计算和电子设备的心脏。

要创建这些极其精细和精确的特点，研究人员使用模块 - 本质上是一个模板所需的模式已经形成，掩蔽的基板，然后放置等离子体。 一些等离子体的离子穿过模块的图案孔，蚀刻掉层下方的物质，创建一个完美的副本。

离子撞击硅晶片，晶片变得带电。这种充电结束小幅上涨排斥带正电的离子 - 从根本上降低其动能。其结果是，光束变得太弱，蚀刻掉的底层材料。该行业克服了这个问题，通过使用AC电源，以中和电荷。然而，这导致离子能量的损失。

唐纳利说：“我们的目标是让所有的离子具有相同的能量，所以你可以选择性地蚀刻的材料之一”。 “材料蚀刻有一个阈值，你必须超过一定的能量蚀刻材料，如果你可以选择的能量离子硅和二氧化硅之间的阈值。

唐纳利说：“原子蚀刻应有助于创造有史以来建造的最先进的集成电路IC。如果我们能控制的离子的动能，我们可以与组成高水平的精密硅片。