> 发布时间：2013-09-26来源：IC旗舰店-深圳市毅创辉电子旗下电子交易平台分类：行业新闻
3D-集成电路IC设计解决方案
加快3D集成电路IC创新
3D-集成电路IC技术补充了传统的晶体管缩放，使设计人员能够实现更高的集成度，允许多个晶片垂直堆叠，或在侧端配置一个硅中介层上的“2.5D”。3D-IC整合使用硅通孔（TSV）技术，一个新兴的互连技术，将取代传统的引线键合过程中芯片/晶圆堆叠，增加模具间的通信带宽，降低的外形和更低的功耗叠多模系统。
设计挑战
与传统的单片集成电路IC相比，3D-集成电路IC整合的方式堆叠多芯片使用硅通孔（TSV）和硅中介层技术是一种创新的方式提供大型设备，具有良好的成品率和可靠性。
3D-集成电路IC技术补充了传统的晶体管缩放，使设计人员能够实现更高的集成度，允许多个晶片垂直堆叠，或在侧端配置一个硅中介层上的“2.5D”。3D-IC整合，一个新兴的互连技术，将取代传统的引线键合过程中芯片/晶圆堆叠，增加模具间的通信带宽，减少外形和更低的功耗堆叠式多芯片系统采用TSV技术。
Synopsys公司的3D-集成电路IC的倡议开始在半导体器件水平。多芯片堆叠包括不同的材料，通常是结合在一起的，具有不同的热膨胀系数（CTE）。任何温度的变化会导致材料的应力由于热不匹配，导致变形硅晶体管性能的影响。此外，TSV技术，微凸块及其他焊料凸点产生永久应力，在他们周围的区域。Synopsys的'Sentaurus的互连TCAD的工具被用来分析这些影响，并进行建模芯片堆叠在TSV技术，使性能和可靠性优化。安森美半导体公司，如晶圆代工，使用模拟结果来创建3D-集成电路IC整合设计特定的规则，以确保可制造性和可靠性。
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