IRF620STRL

商品描述

标准包装：
800
系列：
-
FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
标准
漏极至源极电压(Vdss)：
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
5.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
800 毫欧 @ 3.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
14nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
260pF @ 25V
功率 - 最大：
3W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：
D2PAK
包装：
带卷 (TR)

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

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