IRF6629TRPBF

商品描述

产品目录绘图：
IR Hexfet Circuit
标准包装：
1
系列：
HEXFET®
;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
29A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
2.1 毫欧 @ 29A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
2.35V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
51nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
4260pF @ 13V
功率 - 最大：
2.8W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
DirectFET? 等容 MX
供应商设备封装：
DIRECTFET? MX
包装：
标准包装
配用：
IRDC3622S-ND - BOARD EVALUATION W/IR3622MPBFIRDC3622D-ND - BOARD EVAL W/IR3622MPBF DUAL OUT
其它名称：
IRF6629TRPBFDKR

MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

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