IRF9Z24NSPBF

商品描述

标准包装：
50
系列：
HEXFET®
;FET 型：
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：
标准
漏极至源极电压(Vdss)：
55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
12A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
175 毫欧 @ 7.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
19nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
350pF @ 25V
功率 - 最大：
3.8W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：
D2PAK
包装：
管件

MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK

购买须知

1：由于型号种类繁多，价格时有更新，请顾客一定要与我们沟通咨询后才可下单。
2：买家咨询的时候请务必说清楚（完整型号、封装、数量），以便我们及时报价。
3：买家无提前咨询而下单的，如果由于缺货或者涨价而导致无法发货的，我司不承担任何责任，一律作退款处理。
4：生产型企业可申请月结和货到付款。
5：千元以上免运费(特殊商品除外)。
6：报价不含任何销售税，计算含税价请*1.17。

地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室电话： 075583265028 传真：0755-83267787 邮箱：ethan@yichuanghui.com