SI1032X-T1-GE3

商品描述

产品目录绘图：
SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323
标准包装：
1
系列：
-
FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
200mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
5 欧姆 @ 200mA，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
0.75nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
-
功率 - 最大：
300mW
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
SC-89，SOT-490
供应商设备封装：
SC-89-3
包装：
标准包装
产品目录页面：
1661 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI1032X-T1-GE3DKR

MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3

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