IPB083N10N3 G

商品描述

标准包装：
1
系列：
OptiMOS&trade
;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
标准
漏极至源极电压(Vdss)：
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
80A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
8.3 毫欧 @ 73A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
3.5V @ 75µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
55nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
3980pF @ 50V
功率 - 最大：
125W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：
PG-TO263-2
包装：
标准包装
其它名称：
IPB083N10N3 GDKR

MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

购买须知

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