IPB60R190C6

商品描述

产品培训模块：
CoolMOS™ CP Switching Behavior
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
产品目录绘图：
Mosfets TO-263
标准包装：
1
系列：
CoolMOS&trade
;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
标准
漏极至源极电压(Vdss)：
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
20.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
190 毫欧 @ 9.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
3.5V @ 630µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
63nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
1400pF @ 100V
功率 - 最大：
151W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：
PG-TO263-2
包装：
标准包装
产品目录页面：
1616 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：
IPB60R190C6INDKR

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263

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