3D集成电路IC芯片技术得到SK海力士公司授权

      SK海力士公司在已授权的3D集成电路IC芯片技术公司美国俄勒冈州比弗顿，BeSang公司。SK海力士，主要生产DRAM和闪存芯片，将授权BeSang公司（它在韩文中的意思是“高高飘扬”）所谓“真正的3D 集成电路IC”的过程中，采用低温工艺打造3D集成电路IC多层一层在同一时间使用传统的通孔，而不是堆放成品模具使用穿透硅通孔（TSV）。

      与SK海力士的专利许可协议，要求技术转让，包括更新的基础上一个五年期的服务费，但不包括协作。此外，协议非排他性的，允许BeSang公司与其他芯片制造商的机会取得类似的交易。

      SK海力士专注于DRAM，NAND闪存，固态硬盘（SSD），和图像传感器，但超出系统集成电路甚至在未来的代工业务。BeSang公司声称，他们已经证明，其3D IC制程工程，不仅与DRAM，但随着各种各样的集成电路类型，包括处理器，数字信号处理器，GPU（图形处理器），专用集成电路，FPGA的系统级芯片，NAND闪存，SRAM，和图像传感器。

它是如何工作的
     BeSang公司始建于2008年，由首席执行官李相云，谁一直在完善其3D IC制程沿原三星工程师Junil公园，开发的第一个原子层沉积高k介质工具。BeSang的新工艺不需要TSV的或专用设备制造多层的3D IC。

     “多器件层上依次层叠现有设备与传统的半导体设备的顶部，说：”EE时报“的独家专访，在BeSang公司Junil公园，高级副总裁兼研究和发展。不像其他3D IC技术，BeSang的真3D IC可实现低温过程，这并不影响下层电路”。

     BeSang的技术标准CMOS逻辑晶圆制造，然后覆盖一层保护介质。为了制造多层存储器上盖的逻辑层，掺杂的硅层（npn型）的供体晶片键合到该组件的顶部与没有对应的需要。往下npn型层被蚀刻完全对齐的垂直的npn型信道的环绕栅极晶体管（SGT的），连接到逻辑层下面，常规通孔。 然后，使用低温的过程中添加的环绕栅极沉积金属或多晶硅。

     最后，电容器制造对3D IC的每个晶体管之上，从而将其转化成他们的逻辑芯片上堆叠DRAM单元。通过反复进行与其他保护性电介质层和施体晶片，可以添加任意数量的DRAM层顶上一个单一的逻辑芯片。

     当应用的DRAM，BeSang的3D IC技术，旨在提高面密度的DRAM，无需规模向下的特征尺寸，内存厂商所面临的物理限制未来裁员功能的福音。 SK海力士的3D的DRAM可以尽快在2014年开始出现。