可承受高温技术给集成电路IC带来的进步
发展集成电路IC技术,能承受高温度环境,以提高性能。
集成电路IC,它们存在于你的汽车或办公室的一台个人电脑,家用电子产品。 在过去几十年稳步推进,集成电路IC已经变得更小,更复杂和不断增加的功能。 然而,材料的限制,限制了他们的操作温度?400华氏度(200摄氏度)。
高的温度的系统,如涡轮机,飞机发动机,井下钻井系统和类似的应用程序操作的温度,可到200度C及以后有很少或没有能力利用集成电路IC技术。 这可能会限制仪器的能力和潜在的系统性能。
在工业企业,包括GE的几个应用集成电路IC工作在极端温度下可能会延长传感器和仪器仪表的技术带来了独特的机会。 进步可能使测量更精确,拥有更好的信号调理或新功能,带来显着的系统效益。
来自GE全球研发中心的一队工作人员正在积极开发这样的技术,实现集成电路IC的目标,可以在300度C(600度F)的下洞勘探系统中使用的增强型地热系统。 通过能源部的支持,GE正致力于开发新的集成电路IC,基于碳化硅(SiC)半导体结合新颖的包装技术,能满足这些温度。 多年度计划促进复制目前井下钻井系统电子能力的集成电路IC设计,集成和发展,同时工作温度范围扩展到300摄氏度。 商所使用的下一个步骤是屏蔽的一个重复过程中,光的照射,蚀刻和清洗。 一种集成电路IC,是一种电子电路,由非导体层隔开的导电材料制成的薄层形成。 掩蔽一个模板或设计的第一电路层的硅晶片上。
首先,称为光致抗蚀剂的材料被放置在晶片表面上,在它与掩膜。 光致抗蚀剂暴露于光,这会导致一种化学固化反应的任何暴露的材料。 当掩膜被移除时,未固化的光致抗蚀剂可以被删除,在这个过程被称为蚀刻。
集成电路IC制造商重复这些步骤,添加到晶圆上建立电子电路导体或非导体层。 是由许多小的集成电路IC的晶片上,在同一时间,在以后的步骤中被分割的,一旦已完成的电路。 的最后步骤是将电连接到各电路,这样他们可以被放置在电路板中使用的计算机和其他电子设备