ZXMN10A08E6TC

商品描述

标准包装：
10,000
系列：
-
FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
1.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
250 毫欧 @ 3.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
7.7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
405pF @ 50V
功率 - 最大：
1.1W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
SOT-23-6
供应商设备封装：
SOT-23-6
包装：
带卷 (TR)

MOSFET N-CHAN 100V SOT23-6

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