SIE806DF-T1-GE3

商品描述

标准包装：
3,000
系列：
TrenchFET®
;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
标准
漏极至源极电压(Vdss)：
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
60A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
1.7 毫欧 @ 25A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
250nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
13000pF @ 15V
功率 - 最大：
125W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
10-PolarPAK?（L）
供应商设备封装：
10-PolarPAK?（L）
包装：
带卷 (TR)

MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK

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