ZXMP6A17N8TC

商品描述

标准包装：
1
系列：
-
FET 型：
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
2.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
125 毫欧 @ 2.3A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
17.7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
637pF @ 30V
功率 - 最大：
1.56W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
8-SO
包装：
标准包装
产品目录页面：
1474 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：
ZXMP6A17N8TCDKR

MOSFET P-CH 60V 2.7A SO8

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