CSD17313Q2
商品描述- 产品培训模块:
NexFET MOSFET Technology
- 视频文件:
NexFET Power Block
PowerStack? Packaging Technology Overview - 产品目录绘图:
CSD25302Q2
- 标准包装:
1
- 系列:
NexFET&trade
- ;FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
5A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
30 毫欧 @ 4A,8V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):
1.8V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:
2.7nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:
340pF @ 15V
- 功率 - 最大:
2.3W
- 安装类型:
表面贴装
- 封装/外壳:
6-SMD,扁平引线
- 供应商设备封装:
6-SON
- 包装:
标准包装
- 产品目录页面:
1623 (CN2011-ZH PDF)
- 其它名称:
296-27233-6
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