SI1403BDL-T1-E3

商品描述

产品目录绘图：
DL-T1-E3 Series SOT-363
标准包装：
3,000
系列：
TrenchFET®
;FET 型：
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
1.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
150 毫欧 @ 1.5A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
1.3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
4.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
-
功率 - 最大：
568mW
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装：
SC-70-6
包装：
带卷 (TR)
产品目录页面：
1665 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI1403BDL-T1-E3TR

MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6

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