IRFH6200TR2PBF

商品描述

产品目录绘图：
IR Hexfet PQFN
标准包装：
1
系列：
HEXFET®
;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
45A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
1.2 毫欧 @ 50A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
1.1V @ 150µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
230nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
10890pF @ 10V
功率 - 最大：
3.6W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
8-PowerVQFN
供应商设备封装：
PQFN（5x6）
包装：
标准包装
其它名称：
IRFH6200TR2PBFDKR

MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN

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