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IRF8010STRLPBF
商品描述- 标准包装：
1
- 系列：
HEXFET?
- ;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：
标准
- 漏极至源极电压(Vdss)：
100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
80A
- 开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
15 毫欧 @ 45A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：
4V @ 250μA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：
120nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：
3830pF @ 25V
- 功率 - 最大：
260W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：
D2PAK
- 包装：
标准包装
- 其它名称：
IRF8010STRLPBFDKR
场效应管 MOSFET N 100V D2-PAK 晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 80A
漏源电压, Vds: 100V
在电阻RDS（上）: 15mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
功耗, Pd: 260W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 175°C
封装类型: TO-263
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
功耗, Pd: 260W
功耗, Pd: 260W
封装/箱盒: D2-PAK
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
漏极电流, Id 最大值: 80A
漏极连续电流, Id @ 100°C: 57A
漏极连续电流, Id @ 25°C: 80A
热阻 Rth: 0.57
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds: 100V
电压, Vds 典型值: 100V
电压, Vgs 最高: 20V
电流, Idm 脉冲: 320A
表面安装器件: SMD
阈值电压, Vgs th 最低: 2V
阈值电压, Vgs th 最高: 4V
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