SI7450DP-T1-E3

商品描述

产品目录绘图：
DP-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
标准包装：
1
系列：
TrenchFET®
;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
3.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
80 毫欧 @ 4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
42nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
-
功率 - 最大：
1.9W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
标准包装
产品目录页面：
1663 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7450DP-T1-E3DKR

MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK 8SOIC

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