IRFS23N20D

商品描述

标准包装：
50
系列：
HEXFET®
;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
标准
漏极至源极电压(Vdss)：
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
24A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
100 毫欧 @ 14A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
86nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
1960pF @ 25V
功率 - 最大：
3.8W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：
D2PAK
包装：
管件
其它名称：
*IRFS23N20D

MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK

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