IRF644B_FP001
商品描述- 标准包装:
50
- 系列:
-
- FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:
标准
- 漏极至源极电压(Vdss):
250V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
14A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
280 毫欧 @ 7A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:
60nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:
1600pF @ 25V
- 功率 - 最大:
139W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商设备封装:
TO-220
- 包装:
管件
购买须知 |
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