IRF6712STRPBF

商品描述

标准包装：
4,800
系列：
HEXFET®
;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
17A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
4.9 毫欧 @ 17A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
2.4V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
18nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
1570pF @ 13V
功率 - 最大：
2.2W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
DirectFET? 等容 SQ
供应商设备封装：
DIRECTFET? SQ
包装：
带卷 (TR)

MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET

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