IPP200N25N3G

商品描述

数据列表：IPx200N25N3 G

产品相片：TO-220-3

标准包装 ?：500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：OptiMOS??

包装 ?：管件 ?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：250V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：64A（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 64A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 270μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：86nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：7100pF @ 100V

功率 - 最大值：300W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220-3

其它名称：IPP200N25N3G

IPP200N25N3GXKSA1

SP000677894

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