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  • SI1032X-T1-E3
  • SI1032X-T1-E3

SI1032X-T1-E3

  • 厂家:Vishay Siliconix
  • 封装/批号:2017+
  • 数量:库存充足(量大可订货)
  • 价格:电议
  • 类型:IC现货
  • pdf: SI1032X-T1-E3

SI1032X-T1-E3

商品描述
  • 产品目录绘图:

    SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    TrenchFET®

  • ;FET 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物

  • FET 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    20V

  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

    200mA

  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:

    5 欧姆 @ 200mA,4.5V

  • Id 时的 Vgs(th)(最大):

    1.2V @ 250µA

  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:

    0.75nC @ 4.5V

  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:

    -

  • 功率 - 最大:

    300mW

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    SC-89,SOT-490

  • 供应商设备封装:

    SC-89-3

  • 包装:

    标准包装

  • 其它名称:

    SI1032X-T1-E3DKR

MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
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